EPC2105ENGRT
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit EPC2105ENGRT s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit EPC2105ENGRT s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | EPC2105ENGRT |
|---|---|
| Výrobce | EPC |
| Popis | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE |
| Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.035 | |||||
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
| Part Number | EPC2105ENGRT | Výrobce | EPC |
|---|---|---|---|
| Popis | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 16656 pcs | Datový list | EPC2105 |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Vgs (th) (max) 'Id | 2.5V @ 2.5mA |
| Dodavatel zařízení Package | Die | Série | eGaN® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V | Power - Max | - |
| Obal | Tape & Reel (TR) | Paket / krabice | Die |
| Ostatní jména | 917-EPC2105ENGRTR | Provozní teplota | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 16 Weeks | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 80V | Detailní popis | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A Surface Mount Die |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 9.5A |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
EPC2111ENGRT - Výrobci:
EPC - Popis:
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID - Na skladě:
48662
- Část#:
EPC2107ENGRT - Výrobci:
EPC - Popis:
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE - Na skladě:
60095
