SIDR680DP-T1-GE3
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit SIDR680DP-T1-GE3 s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit SIDR680DP-T1-GE3 s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | SIDR680DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Výrobce | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Popis | MOSFET N-CH 80V |
| Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.524 | |||||
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
| Part Number | SIDR680DP-T1-GE3 | Výrobce | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Popis | MOSFET N-CH 80V | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 58539 pcs | Datový list | SIDR680DP |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Vgs (th) (max) 'Id | 3.4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | PowerPAK® SO-8DC | Série | TrenchFET® Gen IV |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 20A, 10V | Ztráta energie (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Obal | Tape & Reel (TR) | Paket / krabice | PowerPAK® SO-8 |
| Ostatní jména | SIDR680DP-T1-GE3TR | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 32 Weeks | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 5150pF @ 40V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 7.5V, 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 80V |
| Detailní popis | N-Channel 80V 32.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 32.8A (Ta), 100A (Tc) |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
SIDC56D60E6X1SA1 - Výrobci:
International Rectifier (Infineon Technologies) - Popis:
DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER - Na skladě:
4824
- Část#:
SIDC81D120H6X1SA2 - Výrobci:
International Rectifier (Infineon Technologies) - Popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER - Na skladě:
4612
- Část#:
SIDR626DP-T1-GE3 - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
MOSFET N-CHAN 60V - Na skladě:
56445
- Část#:
SIDR668DP-T1-GE3 - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
MOSFET N-CH 100V - Na skladě:
70382
- Část#:
SIDR610DP-T1-GE3 - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC - Na skladě:
57777
- Část#:
SIDC78D170HX1SA1 - Výrobci:
International Rectifier (Infineon Technologies) - Popis:
DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER - Na skladě:
5322
- Část#:
SIDR402DP-T1-GE3 - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC - Na skladě:
75142
- Část#:
SIDC85D170HX1SA2 - Výrobci:
International Rectifier (Infineon Technologies) - Popis:
DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER - Na skladě:
5776
- Část#:
SIDR622DP-T1-GE3 - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
MOSFET N-CHAN 150V - Na skladě:
68178
- Část#:
SIDV5545-20 - Výrobci:
OSRAM Opto Semiconductors, Inc. - Popis:
DISPLAY PROGRAMMABLE - Na skladě:
4426
- Část#:
SIDR140DP-T1-GE3 - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC - Na skladě:
70764
- Část#:
SIDC59D170HX1SA2 - Výrobci:
International Rectifier (Infineon Technologies) - Popis:
DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER - Na skladě:
4734
- Část#:
SIDC73D170E6X1SA2 - Výrobci:
International Rectifier (Infineon Technologies) - Popis:
DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER - Na skladě:
5058
- Část#:
SIDC81D60E6X1SA3 - Výrobci:
International Rectifier (Infineon Technologies) - Popis:
DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER - Na skladě:
4626
- Část#:
SIDC81D120E6X1SA4 - Výrobci:
International Rectifier (Infineon Technologies) - Popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER - Na skladě:
5259
- Část#:
SIDC81D120F6X1SA1 - Výrobci:
International Rectifier (Infineon Technologies) - Popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER - Na skladě:
5998
- Část#:
SIDR638DP-T1-GE3 - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
MOSFET N-CH 40V 100A SO-8 - Na skladě:
97706
- Část#:
SIDR870ADP-T1-GE3 - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
MOSFET N-CH 100V 95A SO-8 - Na skladě:
91720
- Část#:
SIDR392DP-T1-GE3 - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
MOSFET N-CHAN 30V - Na skladě:
70727