1N8030-GA
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit 1N8030-GA s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit 1N8030-GA s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | 1N8030-GA |
|---|---|
| Výrobce | GeneSiC Semiconductor |
| Popis | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 |
| Stav volného vedení / RoHS | Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | 1 pcs | 10 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $69.207 | $65.867 | ||||
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
| Part Number | 1N8030-GA | Výrobce | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Popis | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | Stav volného vedení / RoHS | Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající |
| Dostupné množství | 487 pcs | Datový list | 1N8030-GA |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 1.39V @ 750mA |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | Dodavatel zařízení Package | TO-257 |
| Rychlost | No Recovery Time > 500mA (Io) | Série | - |
| Reverse Time Recovery (TRR) | 0ns | Obal | Tube |
| Paket / krabice | TO-257-3 | Ostatní jména | 1242-1117 1N8030GA |
| Provozní teplota - spojení | -55°C ~ 250°C | Typ montáže | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) | Výrobní standardní doba výroby | 18 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Detailní popis | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 750mA Through Hole TO-257 | Proud - zpìtný únikový @ Vr | 5µA @ 650V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) | 750mA | Kapacitní @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Číslo základní části | 1N8030 |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
1N8034-GA - Výrobci:
GeneSiC Semiconductor - Popis:
DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 - Na skladě:
596
- Část#:
1N821AUR-1 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA - Na skladě:
20134
- Část#:
1N8033-GA - Výrobci:
GeneSiC Semiconductor - Popis:
DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 - Na skladě:
505
- Část#:
1N8035-GA - Výrobci:
GeneSiC Semiconductor - Popis:
DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 - Na skladě:
429
- Část#:
1N8031-GA - Výrobci:
GeneSiC Semiconductor - Popis:
DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 - Na skladě:
602
- Část#:
1N8024-GA - Výrobci:
GeneSiC Semiconductor - Popis:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 - Na skladě:
550
- Část#:
1N8026-GA - Výrobci:
GeneSiC Semiconductor - Popis:
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 - Na skladě:
430
- Část#:
1N8028-GA - Výrobci:
GeneSiC Semiconductor - Popis:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 - Na skladě:
530
- Část#:
1N8032-GA - Výrobci:
GeneSiC Semiconductor - Popis:
DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 - Na skladě:
545