RS3E095BNGZETB
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit RS3E095BNGZETB s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit RS3E095BNGZETB s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | RS3E095BNGZETB |
|---|---|
| Výrobce | LAPIS Semiconductor |
| Popis | MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP |
| Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.313 | $0.273 | $0.211 | $0.156 | $0.125 | |
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
| Part Number | RS3E095BNGZETB | Výrobce | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Popis | MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 184563 pcs | Datový list | RS3E095BN |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Vgs (th) (max) 'Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | 8-SOP | Série | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 14.6 mOhm @ 9.5A, 10V | Ztráta energie (Max) | 2W (Tc) |
| Obal | Cut Tape (CT) | Paket / krabice | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatní jména | RS3E095BNGZETBCT | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 15V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 4.5V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 30V | Detailní popis | N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Ta) |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
RS3DB-13-F - Výrobci:
Diodes Incorporated - Popis:
DIODE GEN PURP 200V 3A SMB - Na skladě:
169763
- Část#:
RS3DHE3/9AT - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB - Na skladě:
5231
- Část#:
RS3DHR7G - Výrobci:
TSC (Taiwan Semiconductor) - Popis:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB - Na skladě:
471558
- Část#:
RS3DHE3_A/H - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB - Na skladě:
249132
- Část#:
RS3E135BNGZETB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP - Na skladě:
109930
- Část#:
RS3G M6G - Výrobci:
TSC (Taiwan Semiconductor) - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB - Na skladě:
593247
- Část#:
RS3E075ATTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP - Na skladě:
163453
- Část#:
RS3G R7G - Výrobci:
TSC (Taiwan Semiconductor) - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB - Na skladě:
427856
- Část#:
RS3D-M3/9AT - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB - Na skladě:
336432
- Část#:
RS3G-13-F - Výrobci:
Diodes Incorporated - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 3A SMC - Na skladě:
149988
- Část#:
RS3G V7G - Výrobci:
TSC (Taiwan Semiconductor) - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB - Na skladě:
462601
- Část#:
RS3DHE3/57T - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB - Na skladě:
5053
- Část#:
RS3G-E3/57T - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB - Na skladě:
294207
- Část#:
RS3DHM6G - Výrobci:
TSC (Taiwan Semiconductor) - Popis:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB - Na skladě:
523903
- Část#:
RS3DHE3_A/I - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB - Na skladě:
233331
- Část#:
RS3G-M3/9AT - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB - Na skladě:
326269
- Část#:
RS3G-M3/57T - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB - Na skladě:
335694
- Část#:
RS3G-E3/9AT - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB - Na skladě:
250082