APT100GN120B2G
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit APT100GN120B2G s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit APT100GN120B2G s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | APT100GN120B2G |
|---|---|
| Výrobce | Microsemi |
| Popis | IGBT 1200V 245A 960W TMAX |
| Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | 1 pcs | 10 pcs | 30 pcs | 120 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $10.348 | $9.573 | $8.797 | $8.176 | ||
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
| Part Number | APT100GN120B2G | Výrobce | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Popis | IGBT 1200V 245A 960W TMAX | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 4041 pcs | Datový list | Power Products CatalogAPT100GN120B2(G) |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 1200V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic | 2.1V @ 15V, 100A | Zkušební podmínky | 800V, 100A, 1 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C | 50ns/615ns | přepínání energie | 11mJ (on), 9.5mJ (off) |
| Série | - | Power - Max | 960W |
| Obal | Tube | Paket / krabice | TO-247-3 Variant |
| Ostatní jména | APT100GN120B2GMI APT100GN120B2GMI-ND |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole | Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 18 Weeks | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu | Standard | Typ IGBT | Trench Field Stop |
| Gate Charge | 540nC | Detailní popis | IGBT Trench Field Stop 1200V 245A 960W Through Hole |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM) | 300A | Proud - Collector (Ic) (Max) | 245A |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
APT100DL60BG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 - Na skladě:
10753
- Část#:
APT100GN120J - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 153A 446W SOT227 - Na skladě:
2806
- Část#:
APT100GT120JU3 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 140A 480W SOT227 - Na skladě:
3316
- Část#:
APT100GT120JR - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 123A 570W SOT227 - Na skladě:
2224
- Část#:
APT10090BLLG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 - Na skladě:
5833
- Část#:
APT10090BFLLG - Výrobci:
Microsemi Corporation - Popis:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 - Na skladě:
10092
- Část#:
APT100GT60JR - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 600V 148A 500W SOT227 - Na skladě:
4612
- Část#:
APT10078BLLG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 - Na skladě:
4627
- Část#:
APT100GN60LDQ4G - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 600V 229A 625W TO264 - Na skladě:
8250
- Část#:
APT100GN120JDQ4 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 153A 446W SOT227 - Na skladě:
2062
- Část#:
APT100GT120JRDQ4 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 123A 570W SOT227 - Na skladě:
2105
- Část#:
APT10078SLLG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK - Na skladě:
3949
- Část#:
APT100GT120JU2 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 140A 480W SOT227 - Na skladě:
3742