APT65GP60B2G
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit APT65GP60B2G s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit APT65GP60B2G s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | APT65GP60B2G |
|---|---|
| Výrobce | Microsemi |
| Popis | IGBT 600V 100A 833W TMAX |
| Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | 1 pcs | 10 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 270 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $7.749 | $7.046 | $6.518 | $5.989 | $5.461 | |
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
| Part Number | APT65GP60B2G | Výrobce | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Popis | IGBT 600V 100A 833W TMAX | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 5980 pcs | Datový list | APT65GP60B2 |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 600V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic | 2.7V @ 15V, 65A | Zkušební podmínky | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C | 30ns/91ns | přepínání energie | 605µJ (on), 896µJ (off) |
| Série | POWER MOS 7® | Power - Max | 833W |
| Obal | Tube | Paket / krabice | TO-247-3 Variant |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | Typ montáže | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu | Standard | Typ IGBT | PT |
| Gate Charge | 210nC | Detailní popis | IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM) | 250A | Proud - Collector (Ic) (Max) | 100A |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
APT60N60BCSG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 - Na skladě:
4768
- Část#:
APT60S20BG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 - Na skladě:
34257
- Část#:
APT60S20SG - Výrobci:
Microsemi Corporation - Popis:
DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 - Na skladě:
20102
- Část#:
APT60N60SCSG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK - Na skladě:
4814
- Část#:
APT60S20B2CTG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX - Na skladě:
15032
- Část#:
APT60N60SCSG/TR - Výrobci:
Microsemi - Popis:
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK - Na skladě:
5487
- Část#:
APT68GA60LD40 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 600V 121A 520W TO-264 - Na skladě:
8528
- Část#:
APT65GP60L2DQ2G - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 600V 198A 833W TO264 - Na skladě:
5205
- Část#:
APT64GA90LD30 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 900V 117A 500W TO-264 - Na skladě:
8850
- Část#:
APT60S20SG/TR - Výrobci:
Microsemi Corporation - Popis:
DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK - Na skladě:
22983
- Část#:
APT68GA60B2D40 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 600V 121A 520W TO-247 - Na skladě:
9887
- Část#:
APT64GA90B2D30 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 900V 117A 500W TO-247 - Na skladě:
11633