RS1E280GNTB
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit RS1E280GNTB s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit RS1E280GNTB s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | RS1E280GNTB |
|---|---|
| Výrobce | LAPIS Semiconductor |
| Popis | MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP |
| Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.147 | |||||
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
| Part Number | RS1E280GNTB | Výrobce | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Popis | MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 162925 pcs | Datový list | RS1E280GNHSMT8 TB Taping Spec |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Vgs (th) (max) 'Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | 8-HSOP | Série | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 28A, 10V | Ztráta energie (Max) | 3W (Ta), 31W (Tc) |
| Obal | Tape & Reel (TR) | Paket / krabice | 8-PowerTDFN |
| Ostatní jména | RS1E280GNTBTR | Provozní teplota | 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 40 Weeks | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 15V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 4.5V, 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 30V |
| Detailní popis | N-Channel 30V 28A (Ta) 3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-HSOP | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 28A (Ta) |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
RS1E320GNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP - Na skladě:
98427
- Část#:
RS1G-E3/5AT - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC - Na skladě:
692374
- Část#:
RS1E350BNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP - Na skladě:
76621
- Část#:
RS1E180BNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP - Na skladě:
302215
- Část#:
RS1G R3G - Výrobci:
TSC (Taiwan Semiconductor) - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC - Na skladě:
670068
- Část#:
RS1E240GNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP - Na skladě:
146606
- Část#:
RS1E280BNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP - Na skladě:
194835
- Část#:
RS1E240BNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP - Na skladě:
252723
- Část#:
RS1E200GNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP - Na skladě:
193953
- Část#:
RS1G-E3/61T - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC - Na skladě:
1263871
- Část#:
RS1G-13-F - Výrobci:
Diodes Incorporated - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A SMA - Na skladě:
1198091
- Část#:
RS1E150GNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP - Na skladě:
268508
- Část#:
RS1E130GNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP - Na skladě:
255114
- Část#:
RS1G M2G - Výrobci:
TSC (Taiwan Semiconductor) - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC - Na skladě:
1346110
- Část#:
RS1E300GNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP - Na skladě:
129845
- Část#:
RS1DTR - Výrobci:
Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions - Popis:
DIODE GEN PURP 200V 1A SMA - Na skladě:
4180409
- Část#:
RS1E170GNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP - Na skladě:
220738
- Část#:
RS1E200BNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP - Na skladě:
241318
- Část#:
RS1G - Výrobci:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A SMA - Na skladě:
697035