RS1E350BNTB
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit RS1E350BNTB s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit RS1E350BNTB s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | RS1E350BNTB |
|---|---|
| Výrobce | LAPIS Semiconductor |
| Popis | MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP |
| Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.652 | $0.588 | $0.473 | $0.368 | $0.305 | |
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
| Part Number | RS1E350BNTB | Výrobce | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Popis | MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 76621 pcs | Datový list | RS1E350BNHSMT8 TB Taping Spec |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Vgs (th) (max) 'Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | 8-HSOP | Série | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 35A, 10V | Ztráta energie (Max) | 35W (Tc) |
| Obal | Original-Reel® | Paket / krabice | 8-PowerTDFN |
| Ostatní jména | RS1E350BNTBDKR | Provozní teplota | 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 7900pF @ 15V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 185nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 30V | Detailní popis | N-Channel 30V 35A (Ta) 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta) |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
RS1E240GNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP - Na skladě:
146606
- Část#:
RS1E280BNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP - Na skladě:
194835
- Část#:
RS1E280GNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP - Na skladě:
162925
- Část#:
RS1E320GNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP - Na skladě:
98427
- Část#:
RS1G-E3/61T - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC - Na skladě:
1263871
- Část#:
RS1G R3G - Výrobci:
TSC (Taiwan Semiconductor) - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC - Na skladě:
670068
- Část#:
RS1G-M3/61T - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC - Na skladě:
941556
- Část#:
RS1E200GNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP - Na skladě:
193953
- Část#:
RS1E300GNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP - Na skladě:
129845
- Část#:
RS1E170GNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP - Na skladě:
220738
- Část#:
RS1G-E3/5AT - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC - Na skladě:
692374
- Část#:
RS1G M2G - Výrobci:
TSC (Taiwan Semiconductor) - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC - Na skladě:
1346110
- Část#:
RS1G/1 - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC - Na skladě:
4843
- Část#:
RS1E240BNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP - Na skladě:
252723
- Část#:
RS1E200BNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP - Na skladě:
241318
- Část#:
RS1E180BNTB - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP - Na skladě:
302215
- Část#:
RS1G-M3/5AT - Výrobci:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC - Na skladě:
965750
- Část#:
RS1G-13-F - Výrobci:
Diodes Incorporated - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A SMA - Na skladě:
1198091
- Část#:
RS1G - Výrobci:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A SMA - Na skladě:
697035