APT100M50J
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit APT100M50J s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit APT100M50J s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | APT100M50J |
|---|---|
| Výrobce | Microsemi |
| Popis | MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 |
| Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | 20 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $15.388 | |||||
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
| Part Number | APT100M50J | Výrobce | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Popis | MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 2041 pcs | Datový list | Power Products CatalogAPT100M50J |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Vgs (th) (max) 'Id | 5V @ 5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | SOT-227 | Série | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 75A, 10V | Ztráta energie (Max) | 960W (Tc) |
| Obal | Tube | Paket / krabice | SOT-227-4, miniBLOC |
| Ostatní jména | APT100M50JMI APT100M50JMI-ND |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Chassis Mount | Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 17 Weeks | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 24600pF @ 25V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 500V |
| Detailní popis | N-Channel 500V 103A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227 | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 103A (Tc) |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
APT100GN60LDQ4G - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 600V 229A 625W TO264 - Na skladě:
8250
- Část#:
APT100GT120JRDQ4 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 123A 570W SOT227 - Na skladě:
2105
- Část#:
APT100GT60JR - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 600V 148A 500W SOT227 - Na skladě:
4612
- Část#:
APT100GN120JDQ4 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 153A 446W SOT227 - Na skladě:
2062
- Část#:
APT106N60B2C6 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 - Na skladě:
6889
- Část#:
APT100GT120JU3 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 140A 480W SOT227 - Na skladě:
3316
- Část#:
APT100GT120JU2 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 140A 480W SOT227 - Na skladě:
3742
- Část#:
APT10DC120HJ - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 - Na skladě:
2368
- Část#:
APT100S20LCTG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 - Na skladě:
11526
- Část#:
APT100GT120JR - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 123A 570W SOT227 - Na skladě:
2224
- Část#:
APT100MC120JCU2 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP - Na skladě:
404
- Část#:
APT100GT60JRDQ4 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 600V 148A 500W SOT227 - Na skladě:
2598
- Část#:
APT100S20BG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 - Na skladě:
23413