APT102GA60B2
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit APT102GA60B2 s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit APT102GA60B2 s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | APT102GA60B2 |
|---|---|
| Výrobce | Microsemi |
| Popis | IGBT 600V 183A 780W TO247 |
| Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | Get a quote | ||||
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
| Part Number | APT102GA60B2 | Výrobce | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Popis | IGBT 600V 183A 780W TO247 | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 5265 pcs | Datový list | APT102GA60(B2,L) |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 600V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic | 2.5V @ 15V, 62A | Zkušební podmínky | 400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C | 28ns/212ns | přepínání energie | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) |
| Série | POWER MOS 8™ | Power - Max | 780W |
| Obal | Tube | Paket / krabice | TO-247-3 Variant |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | Typ montáže | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu | Standard | Typ IGBT | PT |
| Gate Charge | 294nC | Detailní popis | IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM) | 307A | Proud - Collector (Ic) (Max) | 183A |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
APT106N60B2C6 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 - Na skladě:
6889
- Část#:
APT100GT120JU2 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 140A 480W SOT227 - Na skladě:
3742
- Část#:
APT100GT120JU3 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 140A 480W SOT227 - Na skladě:
3316
- Část#:
APT100GT60JRDQ4 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 600V 148A 500W SOT227 - Na skladě:
2598
- Část#:
APT100GT120JRDQ4 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 123A 570W SOT227 - Na skladě:
2105
- Část#:
APT100GT60JR - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 600V 148A 500W SOT227 - Na skladě:
4612
- Část#:
APT100S20BG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 - Na skladě:
23413
- Část#:
APT10M11JVRU3 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 - Na skladě:
3785
- Část#:
APT100S20LCTG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 - Na skladě:
11526
- Část#:
APT100M50J - Výrobci:
Microsemi - Popis:
MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 - Na skladě:
2041
- Část#:
APT100MC120JCU2 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP - Na skladě:
404
- Část#:
APT10M11JVRU2 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 - Na skladě:
3049
- Část#:
APT10DC120HJ - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 - Na skladě:
2368