APT70GR65B2DU40
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit APT70GR65B2DU40 s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit APT70GR65B2DU40 s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | APT70GR65B2DU40 |
|---|---|
| Výrobce | Microsemi |
| Popis | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | 90 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.952 | |||||
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
| Part Number | APT70GR65B2DU40 | Výrobce | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Popis | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 10286 pcs | Datový list | APT70GR65B2DU40 |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 650V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic | 2.4V @ 15V, 70A | Zkušební podmínky | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C | 18ns/170ns | Dodavatel zařízení Package | T-MAX™ [B2] |
| Série | - | Power - Max | 595W |
| Obal | Bulk | Paket / krabice | TO-247-3 |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | Typ montáže | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) | Výrobní standardní doba výroby | 28 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Typ vstupu | Standard |
| Typ IGBT | NPT | Gate Charge | 305nC |
| Detailní popis | IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2] | Aktuální - sběratel Pulsní (ICM) | 280A |
| Proud - Collector (Ic) (Max) | 134A |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
APT70GR120JD60 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 112A 543W SOT227 - Na skladě:
3408
- Část#:
APT75DQ100BG - Výrobci:
Microsemi Corporation - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 - Na skladě:
23286
- Část#:
APT70GR120L - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 160A 961W TO264 - Na skladě:
11090
- Část#:
APT75DQ60BG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 - Na skladě:
36120
- Část#:
APT68GA60LD40 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 600V 121A 520W TO-264 - Na skladě:
8528
- Část#:
APT75DQ120BG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 - Na skladě:
30592
- Část#:
APT68GA60B2D40 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 600V 121A 520W TO-247 - Na skladě:
9887
- Část#:
APT70GR65B2SCD30 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO - Na skladě:
5487
- Část#:
APT70GR120B2 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 160A 961W TO247 - Na skladě:
8599