APT70SM70J
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit APT70SM70J s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit APT70SM70J s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | APT70SM70J |
|---|---|
| Výrobce | Microsemi |
| Popis | POWER MOSFET - SIC |
| Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | Get a quote | ||||
- Parametr produktu
Product parameter
| Part Number | APT70SM70J | Výrobce | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Popis | POWER MOSFET - SIC | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 5982 pcs | Datový list | |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Vgs (th) (max) 'Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | Technika | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Dodavatel zařízení Package | SOT-227 | Série | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V | Ztráta energie (Max) | 165W (Tc) |
| Obal | Bulk | Paket / krabice | SOT-227-4, miniBLOC |
| Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | Typ montáže | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 20V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 20V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 700V | Detailní popis | N-Channel 700V 49A (Tc) 165W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 49A (Tc) |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
APT70GR65B2DU40 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO - Na skladě:
10286
- Část#:
APT75DQ120BG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 - Na skladě:
30592
- Část#:
APT70GR65B2SCD30 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO - Na skladě:
5487
- Část#:
APT75DQ100BG - Výrobci:
Microsemi Corporation - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 - Na skladě:
23286
- Část#:
APT70GR120B2 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 160A 961W TO247 - Na skladě:
8599
- Část#:
APT70GR120JD60 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 112A 543W SOT227 - Na skladě:
3408
- Část#:
APT68GA60LD40 - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 600V 121A 520W TO-264 - Na skladě:
8528
- Část#:
APT70GR120L - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 160A 961W TO264 - Na skladě:
11090
- Část#:
APT75GN120B2G - Výrobci:
Microsemi - Popis:
IGBT 1200V 200A 833W TMAX - Na skladě:
6228
- Část#:
APT75DQ60BG - Výrobci:
Microsemi - Popis:
DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 - Na skladě:
36120