R6030ENX


OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit R6030ENX s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit R6030ENX s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
Part Number | R6030ENX |
---|---|
Výrobce | LAPIS Semiconductor |
Popis | MOSFET N-CH 600V 30A TO220 |
Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
Referenční cena (v amerických dolarech) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
---|---|---|---|---|---|
$2.119 | $1.894 | $1.553 | $1.257 | $1.06 |
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
Part Number | R6030ENX | Výrobce | LAPIS Semiconductor |
---|---|---|---|
Popis | MOSFET N-CH 600V 30A TO220 | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
Dostupné množství | 33549 pcs | Datový list | R6030ENX |
Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Vgs (th) (max) 'Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V | Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package | TO-220FM | Série | - |
RDS On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 14.5A, 10V | Ztráta energie (Max) | 40W (Tc) |
Obal | Bulk | Paket / krabice | TO-220-3 Full Pack |
Ostatní jména | R6030ENXCT R6030ENXCT-ND |
Provozní teplota | 150°C (TJ) |
Typ montáže | Through Hole | Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby | 17 Weeks | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 25V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 600V |
Detailní popis | N-Channel 600V 30A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty

- Část#:
R6030KNZ1C9 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 - Na skladě:
53918

- Část#:
R6030822PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB - Na skladě:
1157

- Část#:
R6030MNX - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - Na skladě:
29453

- Část#:
R6030825HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB - Na skladě:
1447

- Část#:
R6030235ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB - Na skladě:
2041

- Část#:
R6030635ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB - Na skladě:
1891

- Část#:
R6031025HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 - Na skladě:
1234

- Část#:
R6031022PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 - Na skladě:
1082

- Část#:
R6030835ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB - Na skladě:
1346

- Část#:
R6030KNX - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - Na skladě:
45146

- Část#:
R6031035ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 - Na skladě:
1254

- Část#:
R6030422PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB - Na skladě:
1847

- Část#:
R6030ENZC8 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF - Na skladě:
30996

- Část#:
R6030625HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB - Na skladě:
1782

- Část#:
R6030425HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB - Na skladě:
1935

- Část#:
R6030435ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB - Na skladě:
1939

- Část#:
R6030ENZ1C9 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247 - Na skladě:
28857

- Část#:
R6030KNZC8 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF - Na skladě:
41757

- Část#:
R6030622PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB - Na skladě:
1717

- Část#:
R6030KNXC7 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - Na skladě:
52120