R6030MNX
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit R6030MNX s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit R6030MNX s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | R6030MNX |
|---|---|
| Výrobce | LAPIS Semiconductor |
| Popis | MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM |
| Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.248 | $2.006 | $1.645 | $1.332 | $1.123 | |
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
| Part Number | R6030MNX | Výrobce | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Popis | MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 29453 pcs | Datový list | R6030KNX |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Vgs (th) (max) 'Id | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | TO-220FM | Série | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 15A, 10V | Ztráta energie (Max) | 90W (Tc) |
| Paket / krabice | TO-220-3 Full Pack | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole | Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 13 Weeks | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 2180pF @ 25V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 600V |
| Detailní popis | N-Channel 600V 30A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220FM | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
R6030ENZ1C9 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247 - Na skladě:
28857
- Část#:
R6035ENZ1C9 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247 - Na skladě:
30850
- Část#:
R6030822PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB - Na skladě:
1157
- Část#:
R6031222PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205 - Na skladě:
1153
- Část#:
R6031225HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 - Na skladě:
1037
- Část#:
R6031035ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 - Na skladě:
1254
- Část#:
R6031235ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205 - Na skladě:
1313
- Část#:
R6030KNXC7 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - Na skladě:
52120
- Část#:
R6031435ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205 - Na skladě:
1041
- Část#:
R6030ENX - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220 - Na skladě:
33549
- Část#:
R6031425HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 - Na skladě:
997
- Část#:
R6035ENZC8 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF - Na skladě:
27491
- Část#:
R6030KNZ1C9 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 - Na skladě:
53918
- Část#:
R6030ENZC8 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF - Na skladě:
30996
- Část#:
R6031022PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 - Na skladě:
1082
- Část#:
R6030KNZC8 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF - Na skladě:
41757
- Část#:
R6030825HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB - Na skladě:
1447
- Část#:
R6030KNX - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - Na skladě:
45146
- Část#:
R6030835ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB - Na skladě:
1346
- Část#:
R6031025HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 - Na skladě:
1234