R6030ENZC8
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit R6030ENZC8 s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit R6030ENZC8 s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
| Part Number | R6030ENZC8 |
|---|---|
| Výrobce | LAPIS Semiconductor |
| Popis | MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF |
| Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Referenční cena (v amerických dolarech) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.305 | $2.058 | $1.688 | $1.367 | $1.153 | |
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
| Part Number | R6030ENZC8 | Výrobce | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Popis | MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 30996 pcs | Datový list | R6030ENZ |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Vgs (th) (max) 'Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | TO-3PF | Série | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 14.5A, 10V | Ztráta energie (Max) | 120W (Tc) |
| Obal | Tube | Paket / krabice | TO-3P-3 Full Pack |
| Provozní teplota | 150°C (TJ) | Typ montáže | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) | Výrobní standardní doba výroby | 17 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 600V | Detailní popis | N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
R6030822PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB - Na skladě:
1157
- Část#:
R6030KNXC7 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - Na skladě:
52120
- Část#:
R6031035ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 - Na skladě:
1254
- Část#:
R6030KNZC8 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF - Na skladě:
41757
- Část#:
R6031222PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205 - Na skladě:
1153
- Část#:
R6030KNX - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - Na skladě:
45146
- Část#:
R6031225HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 - Na skladě:
1037
- Část#:
R6030622PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB - Na skladě:
1717
- Část#:
R6030KNZ1C9 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 - Na skladě:
53918
- Část#:
R6030ENZ1C9 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247 - Na skladě:
28857
- Část#:
R6030625HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB - Na skladě:
1782
- Část#:
R6031025HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 - Na skladě:
1234
- Část#:
R6030435ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB - Na skladě:
1939
- Část#:
R6030635ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB - Na skladě:
1891
- Část#:
R6030MNX - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - Na skladě:
29453
- Část#:
R6030825HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB - Na skladě:
1447
- Část#:
R6030ENX - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220 - Na skladě:
33549
- Část#:
R6031022PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 - Na skladě:
1082
- Část#:
R6030835ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB - Na skladě:
1346
- Část#:
R6030425HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB - Na skladě:
1935