R6030KNZ1C9
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrázky jsou pouze pro reference.
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit R6030KNZ1C9 s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Viz specifikace produktu pro podrobnosti o produktu.
Koupit R6030KNZ1C9 s důvěrou z Components-World.HK, 1 rok záruka
Požádejte o nabídku
Part Number | R6030KNZ1C9 |
---|---|
Výrobce | LAPIS Semiconductor |
Popis | MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 |
Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
Referenční cena (v amerických dolarech) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
---|---|---|---|---|---|
$1.458 | $1.302 | $1.068 | $0.865 | $0.729 |
- Parametr produktu
- Datový list
Product parameter
Part Number | R6030KNZ1C9 | Výrobce | LAPIS Semiconductor |
---|---|---|---|
Popis | MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
Dostupné množství | 53918 pcs | Datový list | R6030KNZ1 |
Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty | Vgs (th) (max) 'Id | 5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V | Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package | TO-247 | Série | - |
RDS On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 14.5A, 10V | Ztráta energie (Max) | 305W (Tc) |
Obal | Tape & Reel (TR) | Paket / krabice | TO-247-3 |
Ostatní jména | R6030KNZ1C9TR R6030KNZ1C9TR-ND |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Through Hole | Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby | 13 Weeks | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 25V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 600V |
Detailní popis | N-Channel 600V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247 | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
- Související produkty
- Související zprávy
Související produkty
- Část#:
R6031435ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205 - Na skladě:
1041
- Část#:
R6031222PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205 - Na skladě:
1153
- Část#:
R6030KNZC8 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF - Na skladě:
41757
- Část#:
R6031235ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205 - Na skladě:
1313
- Část#:
R6030KNXC7 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - Na skladě:
52120
- Část#:
R6030ENX - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220 - Na skladě:
33549
- Část#:
R6031025HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 - Na skladě:
1234
- Část#:
R6030MNX - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - Na skladě:
29453
- Část#:
R6030625HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB - Na skladě:
1782
- Část#:
R6031022PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 - Na skladě:
1082
- Část#:
R6030ENZC8 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF - Na skladě:
30996
- Část#:
R6030635ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB - Na skladě:
1891
- Část#:
R6030822PSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB - Na skladě:
1157
- Část#:
R6030ENZ1C9 - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247 - Na skladě:
28857
- Část#:
R6030835ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB - Na skladě:
1346
- Část#:
R6031425HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 - Na skladě:
997
- Část#:
R6031225HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 - Na skladě:
1037
- Část#:
R6030825HSYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB - Na skladě:
1447
- Část#:
R6031035ESYA - Výrobci:
Powerex, Inc. - Popis:
DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 - Na skladě:
1254
- Část#:
R6030KNX - Výrobci:
LAPIS Semiconductor - Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - Na skladě:
45146